- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPP015N04N G
IPP015N04N G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPP015N04N G |
|---|---|
| حجم فایل | 55.952 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت IPP015N04N G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPP015N04N G
- Power Dissipation (Pd): 250W
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Continuous Drain Current (Id): 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@200uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5mΩ@10V,100A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Infineon Technologies